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来源:Tech Xplore采用最佳硒合金比例加工的p型非晶氧化碲基薄膜晶体管 (Se:Te = 1:4) 表现出卓越的输出和传输特性。优化后的薄膜晶体管表现出15 cm2/Vs 的空穴迁移率和 107的开/关电流比,与早期 n 型氧化物薄膜晶体管的关键电气属性非常相似。此外,薄膜晶体管在长时间偏置
来源:nippon.com日本财务部顾问小组财政制度委员会提交的一份报告显示,日本政府比西方国家更集中对半导体行业的投资。半导体材料不仅用于智能手机和人工智能应用,还用于家用电器等许多其他类型的电子设备。它们对于管理铁路、电力和供水等社会基础设施系统也至关重要。这导致各国将半导体列为战略产品,并正在
来源:中国电子报随着汽车“新四化”进程逐步深入,智能驾驶、智能座舱、智能网联等丰富多样的功能也逐渐成为消费者驾乘体验的重要考量标准,这让智能汽车的计算场景走向多元化和复杂化。车载芯片作为支撑多种计算场景的算力底座,既面临着整车厂商对高性价比芯片的大量需求,也在电子电气架构向集中式演进的过程中迎来技术
据铜陵经济技术开发区官微消息,相关负责人透露,由铜陵碁明半导体技术有限公司投建的集成电路封装测试研发及产业化项目二期厂房正加紧搭建,预计明年年初竣工投产。据悉,该项目一期建设QSOP24、ESOP8、SOP16、SOP8、QFN、TO252/247、SOT23/89等系列产品封测产线,配套建设4条镀
据外媒报道,日前,美国商务部宣布已与美光签署了一份不具约束力的初步条款备忘录(PMT),将根据《芯片法案》提供至多61.4亿美元的直接拨款,用于支持美光到2030年投资500亿美元在纽约州克莱建设两座先进DRAM超级晶圆厂,以及在爱达荷州建设一座先进DRAM内存大规模量产工厂。此外,美国还将获得至多